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創(chuàng)新型車(chē)規(guī)級(jí)連接器,汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束,新能源汽車(chē)連接器,新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束,直流充電座,耐高壓連接器&…

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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器

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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech)*分銷(xiāo)

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT光伏逆變器,實(shí)現(xiàn)更高的光伏逆變器效率,更小的光伏逆變器體積重量

!更低的光伏逆變器成本!


隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅

MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),

整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來(lái)已來(lái)!傾佳電子(Changer Tech)*分銷(xiāo)基本公司SiC碳化硅

MOSFET!


傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣!Changer

 Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon

 carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!



基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于光儲(chǔ)中的Boost、T型三電平、DCDC等高開(kāi)關(guān)頻率拓?fù)洹?/span>


組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個(gè)光伏組串通過(guò)一個(gè)逆變器,多塊電池板組成一個(gè)組串,接入小功率單

相逆變器在直流端具有zui大功率峰值跟蹤,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場(chǎng)上zui流行的逆變器。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC逆變兩級(jí)電力電子器件變換,防護(hù)等級(jí)一般為IP65。體積較小,可室

外壁掛式安裝。

組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為基本?B2M040120Z或B3M040120Z+基本?碳化硅肖特基二極

管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.

MPPT選擇基本?SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:

組串式逆變器早期舊方案中的開(kāi)關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V 

60A Si FRD,開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率只有16kHz~18kHz

而新方案選用基本?SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz,大幅度減小了電感等磁

性元件的體積和成本,并且基本?SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案,提升了系統(tǒng)可靠性。


基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC-AC中的應(yīng)用 SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用


基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC-AC中T型三電平的豎管。逆

變器開(kāi)關(guān)頻率通常較高,同時(shí)其工作原理決定了開(kāi)關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開(kāi)關(guān)損耗;基本公司

B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開(kāi)關(guān)單極型器件,替代升級(jí)雙

極型 IGBT  (絕緣柵雙極晶體管)。基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到

更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統(tǒng)成本。T型三電平橫管可

以使用基本公司混合碳化硅器件。

通過(guò)使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網(wǎng)逆變器整體效率的提高中計(jì)算出能源使用和

成本節(jié)約;與IGBT單管解決方案相比,基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲(chǔ)能變流器PCS或者光伏三電平并網(wǎng)逆

變器的損耗減半,并提供通常2%的額外能量和運(yùn)行時(shí)間。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040

120Z的單位成本已經(jīng)接近IGBT單管。因?yàn)榛竟維iC碳化硅MOSFET單管更高的開(kāi)關(guān)頻率允許光伏三電平并網(wǎng)逆變

器使用更小、更便宜的磁性元件和散熱器,所以在系統(tǒng)層面上,光伏三電平并網(wǎng)逆變器硬件成本會(huì)大大降低。


IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越

接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC 

MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗,從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以?xún)?yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會(huì)下降,從而全面減

少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右

,可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持zui高結(jié)溫低于zui大規(guī)定值。


為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),同時(shí)也為了使zui終用戶(hù)獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電

子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET*成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET

替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。



傾佳電子(Changer Tech)*分銷(xiāo)基本?(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅

MOSFET模塊,BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?SiC碳化

硅MOSFET模塊,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?混合

SiC-IGBT單管,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350,單通道

隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本?

混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶(hù)用光伏逆變器,戶(hù)用光儲(chǔ)一體機(jī),儲(chǔ)能變流器,

儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平

LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器,熱管

理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲(chǔ)能變流器,

變頻器,變槳伺服驅(qū)動(dòng)*電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動(dòng),AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房UPS等

領(lǐng)域與客戶(hù)戰(zhàn)略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展!


傾佳電子(Changer Tech)-*汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅

SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)

電源,電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管

理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù),以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的*化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲(chǔ)、車(chē)”的協(xié)同發(fā)展

。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極

參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶(hù)提供高品質(zhì)汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束,新能源汽車(chē)連接器,新能源汽車(chē)高壓連接器

與線(xiàn)束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車(chē)規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品,包括線(xiàn)對(duì)板、板對(duì)板、輸入輸出、電源管理和

FFC-FPC連接器,涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿(mǎn)電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器,用于地

下無(wú)線(xiàn)充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類(lèi)功率半導(dǎo)體器件:車(chē)規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量

RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單

管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC

碳化硅MOSFET,OBC車(chē)載SiC碳化硅MOSFET,儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOS

FET,國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國(guó)新能源汽車(chē)行業(yè),新能源

汽車(chē)電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車(chē)充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,

歐標(biāo)充電樁,車(chē)載DCDC模塊,國(guó)網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器,分布式能源、虛擬電廠(chǎng)、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、

綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ),智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、

零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn),邁向數(shù)字能源新

時(shí)代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power 

generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing

 to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!

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