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小米發布GaN快充 氮化鎵GaN站上風口

放大字體  縮小字體 發布日期:2020-02-18 10:14:18    瀏覽次數:105
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原標題:小米發布GaN快充 氮化鎵GaN站上風口 來源:金融界網站小米2月13日新品發布會上推出明星產品65W GaN充電器,引發市場對GaN的關注。GaN材料具備高功率、高頻率、高導熱等優勢,所做充

原標題:小米發布GaN快充 氮化鎵GaN站上風口 來源:金融界網站

小米2月13日新品發布會上推出明星產品65W GaN充電器,引發市場對GaN的關注。GaN材料具備高功率、高頻率、高導熱等優勢,所做充電芯片實現了輸出大功率的同時保持充電器體積可控。目前市面上已有多家廠商布局GaN快充,預計隨著用戶對便攜性的需求提高,2025年全球GaN快充市場規模有望600多億元,同時加速GaN芯片在其他新興領域對Si基產品的替代。

小米發布性能強悍的65W GaN充電器。

2月13號的小米新品發布會上,除小米10、小米WIFI6路由器等一系列電子產品外,小米還推出了一款體積非常小巧的充電器——小米GaN充電器Type-C 65W。該款充電器采用GaN充電芯片,最大充電功率為65W,充滿配備4500 mAh電池的小米10Pro僅需45分鐘。超大充電功率和優秀的便攜性使“GaN快充”一時成為科技界矚目的焦點。

GaN快充亮點:維持高速充電的同時體積控制優秀。

充電器內部變壓器和電容體積占比較大,同樣功率下變壓器和電容體積和電源頻率成反比。傳統Si基芯片受限于頻率的提升,很難進一步降低。GaN芯片頻率遠高于Si,有效降低里內部變壓器等原件體積,同時優秀的散熱性能也使內部原件排布可以更加精密。最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。

從性能和成本角度,GaN未來有望成為主流快充技術。

對比GaAs和SiC兩種主要化合物半導體,我們認為GaAs由于耐壓水平不高,不適用于大功率應用。SiC雖然性能理論上可以用作快充,但是由于生產難度極高,目前價格昂貴,限制了大規模的使用。GaN快充芯片主要采用GaN-on-Si技術,隨著Si晶圓加工和GaN外延技術的不斷進步,成本已經做到比較低。綜合性能和成本兩個方面,GaN有望在未來成為消費電子領域快充器件的主流選擇。

預計2020年全球GaN快充市場規模為23億元,2025年約638億元。

目前市面上已有多家廠商布局GaN快充,小米此次發布新品更是將65W 產品價格拉入150元以下。我們預計隨著用戶對充電器通用性、便攜性的需求提高,未來GaN快充市場規模將快速上升,預計2020年全球GaN充電器市場規模為23億元,2025年將快速上升至638億元,5年CAGR高達94%。

GaN還可用于5G基站、自動駕駛、軍用雷達等眾多功率和頻率有較高要求的場合,未來市場規模有望快速增長。

GaN的功率性能、頻率性能以及散熱性能優秀,特別適合5G通訊基站、軍用雷達、功率電力電子等需要高輸出功率和頻率的場合。在此拉動下,未來GaN功率器件和頻率器件市場規模均高速增長。

預計2022年氮化鎵襯底材料需求30萬片以上,對應市場規模達64億元。

據Yole統計2017年全球氮化鎵襯底市場需求約7.4萬片,在氮化鎵射頻和功率器件應用的拉動下,預計2022年全球氮化鎵襯底需求上升至32萬片,對應的氮化鎵襯底的市場規模達到64億元,2017-2022年CAGR達34%。

 
(文/小編)
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