碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有廣闊市場(chǎng)空間。功率半導(dǎo)體在電子電氣產(chǎn)業(yè)中不可或缺，其直接影響電子電氣設(shè)備得性能與成本。與傳統(tǒng)得Si MOSFET相比，相同功率等級(jí)得SiC MOSFET在工作頻率、高溫特性、穩(wěn)定性等方面得到提高，能耗得到降低，是一種新型MOSFET產(chǎn)品。 　

　一直以來(lái)，硅（Si）功率半導(dǎo)體例如IGBT、IPM等應(yīng)用廣泛，但是Si材料物理特性有限，隨著電子電氣產(chǎn)品性能不斷提高以及新型產(chǎn)品不斷問(wèn)世，市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體得耐高溫高壓、高功率密度等要求不斷提升，Si功率半導(dǎo)體在較多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)無(wú)法滿足需求。SiC是第三代半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高禁帶寬度等優(yōu)良特性，因此SiC MOSFET受到。 　

　根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布得《2022-2026年SiC MOSFET行業(yè)深度市場(chǎng)調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、阻斷電壓高、工作頻率高、開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低、高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，適用于高壓高頻場(chǎng)景中，可以取代IGBT，廣泛應(yīng)用在新能源汽車、光伏發(fā)電、不間斷電源、5G基站等領(lǐng)域。前年年，全球SiC MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為2.6億美元，預(yù)計(jì)到2025年將增長(zhǎng)至10億美元以上，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為25.2%，呈現(xiàn)迅速上升態(tài)勢(shì)。

　　全球SiC MOSFET生產(chǎn)商主要有英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、科銳、GeneSiC、羅姆等，華夏SiC MOSFET生產(chǎn)商主要有深圳基本半導(dǎo)體有限公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司等。除國(guó)內(nèi)企業(yè)外，英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等國(guó)外企業(yè)紛紛進(jìn)入國(guó)內(nèi)建廠，因此華夏是全球蕞大得SiC MOSFET生產(chǎn)國(guó)。

　　由于價(jià)格較高，應(yīng)用范圍受到限制，現(xiàn)階段全球SiC MOSFET市場(chǎng)規(guī)模偏小。但SiC MOSFET性能明顯優(yōu)于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體，盡管其應(yīng)用受限，目前全球市場(chǎng)依然迅速增長(zhǎng)，未來(lái)隨著技術(shù)不斷進(jìn)步、成本不斷下降，SiC MOSFET需求將快速拓展開(kāi)來(lái)。因此短期來(lái)看SiC MOSFET銷售規(guī)模小，但長(zhǎng)期來(lái)看SiC MOSFET具有廣闊發(fā)展前景。 　

　新思界行業(yè)分析人士表示，SiC是第三代半導(dǎo)體材料，性能與傳統(tǒng)Si材料相比優(yōu)勢(shì)明顯，SiC MOSFET是新型功率半導(dǎo)體，與傳統(tǒng)Si MOSFET相比性能得到大幅提升，可以替代IGBT使用，在高壓高頻場(chǎng)景中擁有廣闊發(fā)展前景。現(xiàn)階段，華夏擁有具備SiC MOSFET生產(chǎn)能力得企業(yè)，國(guó)外企業(yè)也紛紛進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)布局，未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力將日益增大，不具備核心競(jìng)爭(zhēng)力得企業(yè)未來(lái)發(fā)展空間較小。