華夏科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在SOT型磁性存儲(chǔ)器（MRAM）研究領(lǐng)域取得進(jìn)展。
實(shí)現(xiàn)低功耗、高穩(wěn)定得數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作是MRAM亟需解決得關(guān)鍵問(wèn)題之一，其中，消除寫(xiě)入電流得非對(duì)稱性對(duì)于實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入過(guò)程得穩(wěn)定可控以及簡(jiǎn)化供電電路設(shè)計(jì)十分重要。STT-MRAM（Spin-Transfer Torque MRAM）由于在寫(xiě)入過(guò)程中，電子自旋在磁性功能層表面得透射和反射效率不同，寫(xiě)入電流本征上是不對(duì)稱得，而SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）由于寫(xiě)入機(jī)理上不存在自旋透射和反射得差異，因此，長(zhǎng)期以來(lái)被認(rèn)為不存在寫(xiě)入電流不對(duì)稱得問(wèn)題。但另一方面，SOT-MRAM在寫(xiě)入過(guò)程中所施加得幫助磁場(chǎng)則有可能從另一側(cè)面帶來(lái)寫(xiě)入電流得非對(duì)稱性。由于目前SOT-MRAM尚處在尋找高效得SOT材料以及通過(guò)引入耦合層來(lái)提供此幫助場(chǎng)得基礎(chǔ)研究階段，此幫助磁場(chǎng)在器件和電路設(shè)計(jì)層面可能帶來(lái)得寫(xiě)入非對(duì)稱性問(wèn)題還沒(méi)有被涉及到。
針對(duì)SOT-MRAM在未來(lái)量產(chǎn)過(guò)程中可能面臨得此類(lèi)問(wèn)題，微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室從優(yōu)化磁性存儲(chǔ)器整體性能及制備工藝得角度出發(fā)，提前開(kāi)展此類(lèi)問(wèn)題得研究。對(duì)于上述可能得寫(xiě)入電流非對(duì)稱問(wèn)題，研究人員及其合通過(guò)測(cè)定在有無(wú)幫助磁場(chǎng)下得SOT效率與寫(xiě)入電流方向、幫助場(chǎng)方向及強(qiáng)弱之間得關(guān)系，直接證實(shí)了支配寫(xiě)入過(guò)程得SOT效率也具有本征得非對(duì)稱性。進(jìn)一步研究表明，此非對(duì)稱性于幫助磁場(chǎng)對(duì)磁性功能層內(nèi)部自旋排列得精細(xì)影響。在此基礎(chǔ)上，研究人員測(cè)試了臨界寫(xiě)入電流和SOT效率得關(guān)系，分析了寫(xiě)入過(guò)程得兩種物理機(jī)制，認(rèn)為基于手性疇壁運(yùn)動(dòng)得磁疇擴(kuò)展機(jī)制主導(dǎo)了SOT-MRAM得寫(xiě)入過(guò)程，但另一種一致磁翻轉(zhuǎn)機(jī)制也可能隨機(jī)發(fā)生，從而為寫(xiě)入過(guò)程引入額外得非對(duì)稱性。相關(guān)得研究結(jié)果從物理機(jī)理上限定了實(shí)現(xiàn)SOT-MRAM對(duì)稱性寫(xiě)入得條件，為下一步電路設(shè)計(jì)和器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供了設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。
相關(guān)研究成果以Write Asymmetry of Spin-Orbit Torque Memory Induced by In-Plane Magnetic Fields為題于近期發(fā)表在IEEE Electron Device Letters上。該工作得到了China重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、China自然科學(xué)基金以及中科院相關(guān)項(xiàng)目得支持。
微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室自2019年設(shè)立磁存儲(chǔ)及自旋電子器件研究方向以來(lái)，主要集中在從物理機(jī)理得角度解決限制MRAM發(fā)展得關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，以及從事自旋波耦合系統(tǒng)和環(huán)柵（GAA）型自旋器件在量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域得研究。目前實(shí)驗(yàn)室已具備了MRAM核心器件磁性隧道結(jié)（MTJ）得生長(zhǎng)及微加工能力，建成了包括自旋轉(zhuǎn)移矩得高低頻測(cè)試以及磁性存儲(chǔ)器在0.5 ns以下得高速寫(xiě)入及動(dòng)態(tài)觀測(cè)系統(tǒng)在內(nèi)得研發(fā)體系。
圖（a）SOT-MRAM器件得結(jié)構(gòu)及測(cè)試示意圖；圖（b）SOT效率和幫助磁場(chǎng)在不同寫(xiě)入電流方向下得關(guān)系；圖（c）高低阻態(tài)寫(xiě)入電流得差值相對(duì)于寫(xiě)入電流得比值和幫助磁場(chǎng)得關(guān)系；圖（d）臨界寫(xiě)入電流隨幫助磁場(chǎng)得變化。實(shí)線為基于磁疇擴(kuò)展得寫(xiě)入機(jī)制；虛線為基于一致翻轉(zhuǎn)得寫(xiě)入機(jī)制
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